Yorktown Heights, New York (VS) – Onderzoekers van IBM hebben transistoren gemaakt met koolstofnanobuizen. Deze overtroffen de meest geavanceerde siliciumtransistoren die er bestaan.


Shalom Wind en zijn collega's fabriceerden in het T.J. Watson Research Center van IBM veldeffecttransistoren met daarin een nanobuis. Omdat deze transistoren dezelfde structuur hebben als de veldeffectttransistoren met metaaloxide en halfgeleider, konden ze de prestaties goed vergelijken. Een spanning van één volt kan de transistor al schakelen, dankzij de zeer dunne insulerende laag van siliciumdioxide tussen de 'gate' en de nanobuis. Eerdere versies hadden nog spanningen van twintig volt nodig.

De verwachting is dat transistoren met koolstofnanobuizen in tien tot vijftien jaar de rol van silicium in de ontwikkeling van chips gaan overnemen (zie ook het aanstaande juninummer van Natuurwetenschap & Techniek wetenschapsmagazine). Wind ziet nog mogelijkheden voor verdere verbeteringen, zoals een nog dunnere siliciumdioxidelaag en kortere lengten van de kanalen, zodat elektronen minder ver moeten reizen.

Erick Vermeulen